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2007-4-25

现代天文仪器之六:CCD简说

归档于: 天文空间科学, 仪器设备 @ 11:18 am

《关于望远镜镜坯》《主动光学与自适应光学》分别介绍了当下望远镜主体设备的概况,不过倘或不配备探测器,性能再优异的望远镜也是一堆废铁,而几乎无用武之处。众所周知,当下的主流天文探测器是CCD,即电荷耦合器件,以其较高的量子效率、良好的线性度、相当宽的频谱响应范围等优点被广泛使用。当然,CCD在民用领域如扫描仪、传真机、数码相机等处也大显身手,不过本文还是将内容集中在天文CCD上。

 

CCD简史

1969年,贝尔实验室的George Smith和Willard Boyle将可视电话和半导体泡存储技术结合,设计了可以沿半导体表面传导电荷的“电荷‘泡’器件”(Charge “Bubble” Devices),率先发明了CCD器件的原型。

George Smith and Willard Boyle

CCD的发明者George Smith和Willard Boyle。(图片提供:Bell Labs)

当时发明CCD的目的是改进存储技术,元件本身也被当作单纯的存储器使用。随后人们认识到,CCD可以利用光电效应来拍摄并存储图象。贝尔实验室在1970年进行了相关实验。CCD阵列是由喷气推进实验室于1972年研制成功的,尺寸是100*100像元。商业CCD也在同一时期由Fairchild公司推出。当时的CCD增益非常低,只有百分之零点几,比照相底片稍高。

1979年,基特峰国家天文台的1米望远镜安装了RCA生产的320*512像元制冷CCD。它的量子效率远高于前,再加上线性度较好,很快得到了天文界的青睐,取代底片而逐渐成为探测器的主流。

为解决CCD蓝端灵敏度差于红端的缺陷,薄型背照式CCD也被开发了出来。结合半导体加工工艺的进步,现今的CCD一直向大面积、高灵敏度、高动态范围、低噪声和宽频响的方向发展。

Delta-Doped Charged Coupled Devices

现代CCD芯片外观。(图片提供:JPL/NASA)

 

组成结构

CCD器件主要分为3部分,即光敏像元、电荷存储和电荷转移。

光敏像元的功能在于将入射光信号转化为相应的电信号。对于光学CCD,光敏像元一般由半导体硅制成,其可探测的最大波长为1.12微米。红外CCD则可以使用本征半导体和掺杂半导体两类,后者带隙能较低,适用于中远红外波段,不过缺点是必须工作在极低的温度下。高能X射线探测器可用掺杂硅制成。

光敏像元受光照后产生的电荷一般是运用的金属—氧化物—半导体电容来储存的,金属电极加在氧化物绝缘层上,绝缘层下的半导体一般采用P型硅,结构可见下图所示:

从实测天体物理学课件里抽出的CCD结构图。

光学CCD的电荷存储在半导体和绝缘层之间的界面处,称为表面沟道CCD。而高能CCD的电荷是存储在较深处的,叫做沟道CCD。

为实现电荷转移,通常使用电荷耦合的方法。传统做法是三相CCD,即每3个电容中只有一个用于存储电荷,只要按一定规律依次改变各电极的电压,就可以实现这一目的。更新的技术是两相或四相探测器,有一半的电容可以存储电荷,不过其结构和制作要更为复杂。或者也可以采用帧转移技术,其优势在于快速读取。

将光敏像元阵置于电荷存储转移系统之上,并在二者之间用门加以控制,就构成了CCD芯片的核心

为增大探测面积,目前的大型望远镜还经常将多块CCD芯片拼接起来,组成CCD阵列,下图为一个例子。

CCD阵列。(图片提供:http://www-ccd.lbl.gov

对于天文CCD,为了降低噪声,制冷也是不能忽略的因素。专业天文台一般采用液氮制冷,设备为杜瓦瓶;业余观测用的CCD多采用电制冷,是利用热电效应实现的。

除却芯片本身,CCD探测器还有一系列附属设施,如放大电路、驱动电路、电源等,在此就不一一详述了。

 

工作原理

光学CCD是基于光伏效应设计的,即光照导致半导体PN结两侧的电势发生改变。红外CCD则有光伏效应与光导效应两种。这一部分主要是针对光学CCD的。

对于硅制成的光敏像元,在红端是穿透率过高,到达电荷存储区之前就已经发生复合,故量子效率下降;在蓝端则是由于辐射的穿透率差,加之芯片正面电极的反射和散射,量子效率也不高。蓝端探测效率的改进可以借助背面入射,并覆盖光学透明的荧光材料来实现。

电荷存储是在电极上加以正偏压,一旦此偏压大于P型半导体的阈值电压,半导体内的电子就会被吸引到半导体与绝缘体的分界面上,形成高浓度的反型薄层,之下则是带负电的耗尽层。反型层结构就是CCD的电子存储区。

至于CCD信号的读出过程,不妨先看看下图,再看解释:

图中黄色为电子,红、绿、蓝三色分别表示不同的电极。初始时,每个电极所加电压都高于阈值,其中有一电极的电压较高(记为1号),其下存储有电子。若要将电子向右转移,需要先将右侧一电极的电压升高至与1相同,其电子存储区与1号电极合并,电子即均匀分布在两个电极之下。然后将1号电极电压降低,电子右移一个电极。如各个电极电压均作类似变化,电子就可以一直向右转移,最后由寄存器读出,并根据需要被放大或转换。

天文CCD一般为黑白,基本没有有彩色CCD,彩色图象一般是多色合成得到的,故对后者不详述。

 

观测准备

CCD观测的一大优势是其数字化,便于进行数据处理和分析。不过这并不是说可以用CCD直接观测,得出的数据可以直接用来分析。正式观测前的准备工作还是相当必要的。

对于CCD来说,主要的准备工作包括测量平场、暗流和本底,其中又以平场最为重要。这是CCD各像元感光不均匀性的表现,且随波长不同,平场特性也有所不同。测量方法是将CCD对准均匀光源(如无星的天空或照明均匀的白布)曝光,且应该按照观测需要加以相应的滤光片。暗流是CCD芯片中半导体热扰动产生的电子所致,与光电子不能区分,需要获取未曝光时的电子潜像来测得。本底则是电容上施加的偏置电压所致,可以用零秒曝光的方法测定。

图片就不另外搜寻了,索性把某次观测的结果拿出来好了:

左上:平场,左下角的较低数值应为白布光照不均所致,仅供参考;右上:暗流;左下:本底;右下:读出噪声,由两张同样条件的图象相减而得。

具体处理方法是将原始图象减去本底和暗流,再除以平场。不要以为拿图象来直接加减乘除很复杂,其实每张(单色)图象可看作一个数组,用数组中的数据进行计算不是多困难的事情吧……

当然,进行上述计算的前提是CCD有很好的线性度。虽然CCD的线性度只适用于某一光强范围之内,不过总的来说还是相当不错的,这也使得通过简单计算扣除CCD自身特性的影响成为了可能。

 

当然,CCD也并非万灵药。在一些需要快速反应或光强极低的的场合,如切伦科夫望远镜和中微子探测器上,CCD是不适用的。而由于读出时间较长,对于实时监测,CCD也不如光电管来得方便。不过随着CCD性能的不断提高,其使用的范围也越来越广。实际上,如今不使用CCD的天文观测领域已经是少而又少了。

 

参考资料:

[1] CCD - The History of CCDs or Charge Coupled Devices from Lucent Technologies
[2] http://en.wikipedia.org/wiki/Charge-coupled_device
[3] 《实测天体物理学》,郑兴武 编
[4] CCD Astronomy, Gregory D. Bothun, Dept. of Physics, Univ. of Oregon
[5] http://www-ccd.lbl.gov

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